描述
ipd135n03lg
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
是
分离式半导体产品 >> FET - 单
OptiMOS™
1,000
MESH OVERLAY™ FET
MOSFET N 通道,金属氧化物 FET
逻辑电平门
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
1560pF @ 25V 功率 -
40W
通孔
TO-220-3 整包
TO-220FP
管件
IPD135N03LG
Infineon Technologies AG
INFINEON
12
536 kb
OptiMOS 3 Power-Transistor Features Optimized technology for DC/DC converters