首页>IC芯片>NGB8207BNT4G
描述
ngb8207bnt4g
IGBT 晶体管
否
Fairchild Semiconductor
集电极—发射极最大电压
650 V
2.3 V
20 V 在25
150 A
400 nA
187 W
TO-247
Tube
NGB8207BNT4G
下载资料
ON Semiconductor
ONSEMI
7
132 kb
Ignition IGBT 20 A, 365 V, N.Channel D2PAK