随着硅CMOS和SiGe技术的出现,器件变得越来越小、越来越快。在某些情况下,测试工程师需要验证其设备在500 GHz及以上的性能。该组件/晶圆上探测解决方案旨在满足高频探测的挑战,用于先进的晶圆上建模和表征,同时在50微米焊盘上提供低、稳定的接触电阻。在500GHz时,最棘手的问题是探测器周围的电场。波导无限探针的新型薄膜GSG接触尖端设计减少了探针尖端附近的杂散电磁场。尖端附近EM场的控制允许高达500GHz的可重复测量,并改善尖端之间的串扰性能。
模块化探针
随着硅CMOS和SiGe技术的出现,器件变得越来越小、越来越快。在某些情况下,测试工程师需要验证其设备在500 GHz及以上的性能。该组件/晶圆上探测解决方案旨在满足高频探测的挑战,用于先进的晶圆上建模和表征,同时在50微米焊盘上提供低、稳定的接触电阻。在500GHz时,最棘手的问题是探测器周围的电场。波导无限探针的新型薄膜GSG接触尖端设计减少了探针尖端附近的杂散电磁场。尖端附近EM场的控制允许高达500GHz的可重复测量,并改善尖端之间的串扰性能。