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场效应管(MOSFET) NVMFD5C446NT1G onsemi

发布时间2023-11-20 14:25:00关键词:NVMFD5C446NT1G
摘要

NVMFD5C446NT1G onsemi 3000pcs

NVMFD5C446NT1G 120,000 ON

阈值电压(Vgs(th)@Id) 3.5V@250uA

漏源电压(Vdss) 40V

连续漏极电流(Id) 127A

功率(Pd) 89W

类型 2个N沟道

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 2.4mΩ@10V,30A

栅极电荷(Qg@Vgs) 38nC@10V

输入电容(Ciss@Vds) 2.45nF@25V

反向传输电容(Crss@Vds) 44pF@25V

工作温度 -55℃~+175℃@(Tj)

NVTFS5C478NLTAG 100,000 ON

NVMFS5C612NLAFT1G 200,000 ON

NTMFSC0D9NO4CL 200,000 ON

NVMFS5C404NWFAFT1G 50,000 ON

NVMFD5C462NT1G 100,000 ON

NVMFD5C466NWFT1G 200,000 ON

NVMFD5C668NLT1G 200,000 ON

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