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产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    stgw40v60df

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 配置

    Single 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.35 V

  • 栅极/发射极最大电压

    +/- 20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    80 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    250 nA

  • 功率耗散

    283 W

  • 最大工作温度

    + 175 C

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

规格书PDF

  • 芯片型号:

    STGW40V60DF

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  • 原厂全称:

    STMicroelectronics

  • 原厂简称:

    STMICROELECTRONICS

  • 页数:

    21

  • 文件大小:

    1833 kb

  • 说明:

    Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed